quinta-feira, 30 de abril de 2015
Microcontroladores
Os microcontroladores são computadores com objetivos
específicos como automação e monitoramento de processos. A utilização do microcontrolador (MCU) em
conjunto com a linguagem de programação tipo C e outros, num sistema simples de alarme residencial, no controle de maquinas e equipamentos.Os microcontroladores são microprocessadores que podem ser programados para funções específicas. Em geral, eles são usados para controlar circuitos e, por isso, são comumente encontrados dentro de outros dispositivos, sendo conhecidos como "controladores embutidos". A estrutura interna de um microcontrolador apresenta um processador, bem como circuitos de memória e periféricos de entrada e saída.Os Microprocessadores
possuem uma ULA (unidade lógica e aritmética) . A ULA de um processador convencional de fato é muito
mais poderosa se comparada a uma ULA de um
microcontrolador. A ULA do microcontrolador é menos poderosa, porém em
uma única pastilha já temos todos os recursos para o
funcionamento do mesmo.
quarta-feira, 29 de abril de 2015
Memórias
As memórias podem ser basicamente divididas em alguns tipos, a seguir:
- Não voláteis
- ROM
- PROM
- EPROM
- EEPROM
- Flash RAM
- Voláteis
- RAM estática
- RAM dinâmica
Abordar-se-á a seguir características de cada uma, e das RAM’s dinâmicas
de uma forma mais extensa, já que este grupo é o mais representativo na esfera
dos computadores.
As memórias não-voláteis caracterizam-se por não perder os dados
gravados ao cessar-se a alimentação elétrica. A exceção é a Flash RAM, que é na
verdade constantemente alimentada por uma bateria, por isso sendo considerada
não-volátil. São usadas portanto para registro de dados por um tempo mais longo
e que não necessitem de atualização constante. São tipicamente mais lentas que
as memórias dinâmicas.
Do inglês Read-only Memory, a ROM é uma memória somente de
leitura, ou seja, não permite gravação. Em computadores antigos, a ROM continha
a programação que permite um computador iniciar sua operação e ler o sistema
operacional gravado no disco rígido. Em computadores modernos, essa programação
é feita em memória não volátil, mas que permite gravação, como se verá a
seguir. Os dados da ROM são gravados na ocasião de sua fabricação.
Microprocessadores contém pequenas porções de ROM dentro de si, onde são
guardados microprogramas que orientam seu funcionamento.
A PROM, ou Programmable Read-only Memory, é uma ROM que é
fornecida virgem para o comprador. Este então deve utilizar um equipamento
especial para gravar na PROM os dados desejados. A gravação é feita de uma só
vez, para toda a capacitade da PROM, e uma vez realizada, não pode mais ser
desfeita. A PROM tampouco perde seu conteúdo na ausência de uma fonte de
eletricidade. É um produto mais vantajoso comercialmente que as ROM’s, já que
pode ser fabricado em grandes lotes, enquanto que as ROM’s devem ser
customizadas dependendo do uso.
A EPROM (Erasable Programmable Read-only Memory) é uma PROM que
pode ter seus dados apagados e reutilizada. O processo de apagamento consiste
em irradiar luz ultravioleta intensa através de uma janela desenhada dentro do
chip de memória. Como a luz solar pode causar este apagamento, esta janela é
usualmente coberta por uma etiqueta protetora.
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(a)
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(b)
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Figura 7: (a) EPROM, onde pode-se ver a janela para irradiação
ultravioleta. (b) Apagador de EPROM.
Do inglês Electrically Erasable Programmable Read-only Memory,
ou EAROM (Electrically Alterable Read-only Memory), a EEPROM é uma ROM
programável pelo usuário e que pode ser apagada e reprogramada repetidamente
através da aplicação de uma tensão mais elevada que a tensão normal de
operação. Diferentemente das EPROM’s, as EEPROM’s não precisam ser removidas do
equipamento ou computador para ser modificadas. Entretanto, o apagamento e
reprogramação tem de ser feito para todo o conteúdo da EEPROM, e não
seletivamente. O processo de apagamento e reprogramação tem um número limitado,
tipicamente da ordem de dezenas ou centenas de milhares de vezes, ao fim do
qual a EEPROM chega ao fim de sua vida útil e deve ser substituída.
A memória Flash é um tipo de memória não-volátil (por ser constantemente
alimentada por uma bateria), que pode ser apagada e regravada em unidades de de
memória chamadas blocos. É uma variação da EEPROM que,
diferentemente da memória Flash, é apagada e reescrita byte por byte, um
processo mais lento que o feito em blocos. A memória Flash usa tensões usuais
de um computador para apagamento e reprogramação.
A memória Flash é largamente usada para conter códigos de controle ou
sistemas operacionais dedicados, como a BIOS de um computador, o programa de
controle de um telefone celular, câmeras digitais, receptores de satélite
domésticos, controladores embutidos, adaptadores de vídeo e outros
dispositivos. O uso da memória Flash nestes dispositivos permite a atualização
dos programas de controle de maneira fácil, o que traz extrema vantagem de
custo e tecnologia. Todo um programa de controle de um telefone celular pode
ser atualizado e funções novas serem adicionadas, sem que a parte física
precise ser modificada, o mesmo acontecendo com as BIOS de computadores. Quando
estes códigos precisam ser regravados, a memória Flash pode ser reescrita em
blocos, facilitando a atualização. Esta característica torna-a inadequada como
memória de acesso randômico (RAM), porque a RAM precisa poder ser endereçada
byte a byte. (as RAM’s serão tratadas adiante.)
Usualmente chamadas de RAM’s (Random Access Memory), as memórias
voláteis assim são caracterizadas por reter os dados gravados enquanto
eletricidade é fornecida a elas. Assim que o fornecimento cessa, os dados são
perdidos. O acesso aos dados é feito de forma aleatória ou randômica, byte a
byte, através de endereços de memória, daí o nome RAM. Dividem-se basicamente
em RAM’s estáticas e RAM’s dinâmicas.
A SRAM (Static Random Access Memory) armazena bits em células de
transistores, que retém a informação até que esta seja alterada, diferentemente
das RAM’s dinâmicas, que utilizam células compostas de um capacitor e um
transistor. Como o capacitor perde sua carga em um determinado tempo, as RAM’s
dinâmicas têm de ter seu conteúdo periodicamente restabelecido, numa operação
chamada refresh.
As SRAM são muito mais rápidas que as RAM’s dinâmicas, e por isto mesmo
mais caras. São usadas na memória cache de um computador, uma
memória especializada que serve de intermediária entre os bancos principais de
RAM dinâmica e o microprocessador. A cache, tipicamente de tamanho
na faixa de 64 a 512Kbytes, replica dados dos bancos principais de RAM
dinâmica, permitindo que o microprocessador ou CPU colete diretamente na cache os
dados, sem precisar buscá-los na RAM dinâmica, mais lenta. O seu alto custo é o
motivo principal pelo qual os bancos principais de RAM de um computador não são
confeccionados todos em SRAM.
As DRAM ou Dinamic Random Access Memories são o tipo
mais comum de RAM para uso em computadores pessoais ou de maior porte. A DRAM é
dinâmica porque, ao contrário da SRAM, precisa restabelecer o conteúdo de suas
células de armazenamento periodicamente (na faixa de milissegundos), no
processo chamado refresh. A SRAM é isenta de refresh pois
opera no princípio de corrente em movimento que é chaveada num sentido ou
noutro, ao invés de uma célula de armazenamento que mantém uma carga. Esta
célula é composta de um capacitor e um transistor: como o minúsculo capacitor
semicondutor, existente dentro dos chips de memória DRAM, tende a perder sua
carga rapidamente, torna-se necessário fazer o refresh.
Até meados de 1995 não havia muito que se dizer sobre memória RAM. Todos
os PC's vinham com RAM tipo FPM (Fast Page Mode), que funcionava a uma
velocidade de cerca de 100ns a 80ns. O desenvolvimento das placas-mãe e CPU
sobrepujou a capacidade de fornecimento de dados da RAM FPM em tempo hábil.
Atualmente, observa-se uma série de designs diferentes de RAM.
Devido a limitações de custo, todos os computadores, exceto aqueles topo
de linha, têm utilizado memória DRAM (Dynamic RAM) como principal.
Originalmente, estas eram assíncronas e single-bank ou banco único, uma vez que
os processadores eram relativamente lentos. Mais recentemente interfaces
síncronas foram produzidas, com uma série de vantagens.
Aqui se objetiva mostrar os diversos tipos de memória DRAM e suas
principais características, além de uma breve descrição do funcionamento de uma
DRAM.
Uma memória DRAM pode ser pensada como um arranjo de células, como uma
tabela ou planilha. Estas células são feitas de capacitores e contém um ou mais
bits de dados, a depender da configuração do chip. Esta tabela é endereçada
através de decodificadores de linha e coluna, que por sua vez recebem seus
sinais de geradores de clock, denominados geradores CAS (Column Address
Strobe) e RAS (Row Address Strobe). De modo a minimizar o tamanho do
pacote de dados, os endereços de linha e coluna são multiplexados em buffers.
Por exemplo, se há 11 endereços, então haverá 11 linhas e 11 colunas de
buffers. Transistores de acesso chamados "sense amps" ou
amplificadores de sinal (numa tradução livre) são conectados a cada coluna de
modo a possibilitar as operações de leitura e recuperação do chip. Uma vez que
as células são capacitores que se descarregam para cada operação de leitura, o
sense amp precisa recuperar ou restaurar o dado ali armazenado antes do fim do
ciclo de acesso.
Figura 8: Acesso a célula de memória por linha e coluna. No caso, a
coluna 2 e a linha 3 estão selecionadas, permitindo acesso à célula na
interseção.
Os capacitores usados nas células de dados tendem a "perder"
sua carga com o tempo, desta maneira requerem uma renovação constante e
periódica dos dados, sob pena de estes se perderem. Este ciclo de renovação
chama-se refresh cycle. Um controlador determina o tempo entre os ciclos de
refresh, e um contador assegura que toda a matriz (todas as linhas) sofre
refresh. Logicamente isso significa que alguns ciclos da máquina são usados
para a operação de refresh, e isto impacta na performance.
Um acesso típico de memória ocorreria da seguinte maneira. Primeiro, os
bits da linha de endereço são colocados nos pinos de endereçamento. Após um
período de tempo o sinal RAS cai (a voltagem diminui), o que ativa os sense
amps e provoca o travamento da linha de endereço no buffer. Quando o sinal RAS
se estabiliza, a linha selecionada é transferida para os sense amps ou
transistores. Logo após, os bits da coluna de endereço são preparados, e então
travados no buffer quando o sinal CAS cai, ao mesmo tempo em que o buffer de
saída (output buffer) é ativado. Quando o sinal CAS se estabiliza, os
transistores selecionados alimentam seus dados para o buffer de saída.
Memória DRAM é feita de circuitos integrados, ou chips. Atualmente a
memória vem no formato de "módulos" ou popularmente
"pentes", que são pequenas placas de circuito impresso onde estão
soldados os chips de memória. Esta placa de circuito impresso, por sua vez, é
conectada na placa-mãe através de slots específicos.
sexta-feira, 24 de abril de 2015
Diodo!
O diodo é um dipositivo eletrônico semicondutor. Portando um tipo de material constituido de portadores livres como os materiais condutores, porém é necessário que uma fonte de energia externa, forneça uma agitação térmica, para que aja o movimento da corrente eletríca pelo diodo. Os materiais semicondutores são elementos da coluna 4A da tabela periódica. Os elementos mais utilizados são o Germânio e o Silício, mas o último e mais utilizado devido a facilidade de encontra-lo na natureza terrestre. Para melhorar a condução neste tipo de material costuma se adicionar átomos com três ou cinco elétrons de valência. Este método se chama dopagem, onde se altera o equilíbrio entre lacunas e elétrons. Quando os semicondutores são dopados com elementos da coluna 5A, que possuem em sua camada de valência cinco elétrons, torna substrato em um material extrínseco do tipo n. Já quando os semicondutores são dopados com elementos da coluna 3A, que possui apenas três elétrons na camada de valência, deixa o substrato com uma brecha ou uma lacuna transformando-se num material onde os elétrons se um cristal extrínseco do tipo p. Para que o diodo de Germânio conduza corrente eletríca quando polarizado diretamente e necessário que se aplique uma tensão de 0,3v e no diodo de Sílicio uma tensão de 0,7 volts. Por isso num circuito de tensão contínua de 10 volts polarizado diretamente com um díodo, a queda de tensão na carga será de aproximadamente de 9,3 volts e no diodo de 0,7 volts.
quinta-feira, 23 de abril de 2015
transistor
Transistores
Atualmente há uma grande variedade de transistores para diversas aplicações. Desta forma, existem transistores que operam em altas frequências, com grande potencia para serem empregados como amplificadores de saída e para chaveamento de potencia, etc.
O transistor foi desenvolvido com base na tecnologia usada no diodo de junção para desempenhar as funções de amplificação, detecção, oscilação, comutação, etc. desde 1951, ano de sua invenção, a eletrônica teve um enorme desenvolvimento.
Um transistor bipolar é composto por três materiais semicondutores dopados, sendo dois cristais tipo N e um tipo P ou dois cristais tipo P e um tipo N. O primeiro é conhecido como transistor NPN e o segundo é o PNP. A imagem a seguir mostra esquematicamente os dois tipos de transistores.
Cada cristal do transistor é nomeado conforme sua função. O cristal do meio é base, pois é comum aos outros cristais. Um dos cristais da extremidade é chamado de emissor, pois emite portadores de carga; e o cristal da outra extremidade recebe o nome de coletor, pois recebe os portadores de carga.
O transistor possui duas ligações, uma entre a base e o coletor e outra entre a base e o emissor, por isso dissemos que ele se parece com dois diodos. O diodo da esquerda é o diodo emissor – base (ou diodo emissor) e o da direita é o diodo coletor – base (ou somente diodo coletor).
Os transistores bipolares deixam passar a corrente entre dois terminais chamados coletor e emissor quando se faz passar uma corrente muito menor por um terminal chamado base.
sexta-feira, 17 de abril de 2015
Diodo e fonte retificadora
INSTITUTO FEDERAL DO TRIÂNGULO MINEIROPRÓ-REITORIA DE EXTENSÃO - PROEXTCOORDENAÇÃO DE EDUCAÇÃO A DISTÂNCIACURSO TÉCNICO EM AUTOMAÇÃO INDUSTRIAL Professor:Olivar Gonçalves Borges Disciplina:Eletrônica Polo: Data: Ingresso:( ) 2013 ( ) 2014 (X ) 2015 ( ) 1ª Avaliação ( ) 2ª Avaliação ( ) Avaliação de recuperação (X) 2ª Atividade a Distância Consulta: SIM Valor:5,0 pontos Nota Obtida: Aluno(a): Antonio Carlos da Silva CPF: 74488163653 INSTRUÇÕESa) Use caneta azul ou preta, sendo que na prova e/ou questão escrita, entregue a lápis, o aluno perderá o direito de reclamar na vista de prova.b) É permitido e incentivado: consulta a quaisquer materiais, colegas de classe, troca de materiais dentro da sala de aula durante a realização da avaliação.c) Os alunos que cometerem quaisquer atos no intuito de fraudar a avaliação serão punidos e poderão obter nota zero.d) Não será tolerado qualquer tipo de rasura nas questões objetivas.e) Verifique se o seu exemplar está completo.f) Identifique cada resposta com o n.º da questão e separe-as com um traço.g) Justifique suas respostas, apenas a resposta sem o devido desenvolvimento não será corrigida.h) Fica estabelecido que o aluno terá que assinar obrigatoriamente todas as vias das provas e folhas anexas, para ter o direito de requerer a revisão de conteúdo e de nota.QUESTÕESMeus caros alunos, por favor, façam os exercícios propostos. Leia atentamente a bibliografia proposta enviado no ambiente Moodle.Cada questão valerá 0,5 pontos, no total de 5,0 pontos distribuidosPreencha o cabeçalho com o polo, data, ingresso, nome e CPF.Grande desafio do aluno de EaD: Fazer um curso sem a presença constante de um professor. Perante este desafio, você está preparado? Espero que sim e que possa ser de grande valia para seu futuro profissional este curso1) Descreva com suas palavras o significado da palavra ideal aplicada a um dispositivo ou sistema.R. O termo ideal em relação a dispositivos ou sistemas que tem características ideais ou perfeitas sem nenhuma variação de erro ou interferência no funcionamento dos mesmos. Um das principais do termo ideal de qualquer dispositivo, componente ou sistema, e que quando se comparar funcionamento real com o ideal e possível aperfeiçoar o mesmo até atingir níveis satisfatórios perto dos 100%.
2) Queremos que um retificador em ponte tenha uma tensão de pico na carga de 40 V. Qual deve ser o valor aproximado da tensão eficaz (Vrms) no secundário.Vrms=VP/1,41-0,707*VP
Vrms=40/1,41=28,3 volts
a) 0 Vb) 14,4 Vc) 28,3 V Corretad) 56,6 V3) Se a frequência da linha for de 60 Hz, a frequência na saída de um retificador em ponte será de:a) 30 Hzb) 60 Hzc) 120 Hz Corretad) 240 HzA freqüência de saída no circuito de onda completa é o dobro da freqüência de entrada.4) Com a mesma tensão no secundário e com o mesmo filtro, qual dos seguintes retificadores fornece a menor tensão na carga?a) De meia onda- Correta
b) De onda completa
c) Em ponte
d) Nenhuma das anteriores
5) Se a capacitância de um filtro aumentar, a ondulação irá:a) Diminuir - Corretab) Permanecer estávelc) Aumentard) Nenhuma das anteriores.
6) Descreva com suas palavras as características do diodo ideal e como elas determinam os estados ligado e desligado do dispositivo. Ou seja, descreva como o curto-circuito e o circuito aberto podem ser utilizados como analogia para o funcionamento de um diodo ideal.As características de um diodo ideal são de uma chave polarizada que conduz somente num sentido, ou seja, do positivo para negativo. Logo o diodo ideal é um curto circuito, como uma chave fechada, no sentido direto, e um circuito aberto, como uma chave aberta, no sentido reverso.
7) Para a configuração com diodo série mostrada no circuito abaixo, determine VD, VR e ID.
VD=0,7 VVR= E-VD=8-0,7= 7,3VID=IR= 7,3V/2,2kΩ=3,32ma
Repita o exercício anterior para o diodo invertido.
ID= OA
VD= 8V> Pois a tensão da fonte fica sobre o diodo vd=E
VR= OV
IR= OA
Nesse caso o diodo funciona como uma chave aberta e por isso não circula corrente e não há queda de tensão.
8) Descreva com suas próprias palavras as condições estabelecidas pelas situações de polarização direta e reversa em um diodo e como elas afetam a corrente resultante. (Desenhe os circuitos com cada situação de polarização do diodo)Na polarização direta a corrente no diodo aumenta de forma acelerada com o aumento da tensão sobre o diodo. Isto é conforme o nível sobre o diodo acima da sua tensão de condução, exemplo 0,7 no diodo de silício.Já na polarização inversa a corrente no diodo é de saturação reversa, bloqueia a corrente até atingir o seu nível de efeito Zenir e a corrente flua no sentido oposto ao indicado pelo símbolo do diodo.
9) Pretende obter, no secundário do transformador, dois níveis de tensão (U2 e U'2). A tensão da rede é 220 V. O número total de espiras no primário e no secundário é, respectivamente, de 600 espiras e 50 espiras. Calcule:a) O valor de U2.U2/U1=N2/N1U2/220=50/600U2=220*50/600U2=18,33 voltsb) A posição da tomada no secundário (número de espiras) que permite obter-se U'2 = 8 V.U2/U1=N2/N18/220=N2/600N2*220=8*600N2=4800/220N2=22
10) Em relação ao retificador de meia onda desenhado abaixo, complete os diagramas de tensão vs. tempo, posicionados à direita do circuito em questão, respeitando-se o comportamento do mesmo.
Bons estudos!!!.“Embora ninguém possa voltar atrás e fazer um novo começo, qualquer um pode começar agora e fazer um novo fim”. Airton Senna
SISTEMA TRIFÁSICO EM ESTRELA
SISTEMA TRIFÁSICO EM ESTRELA
Os sistemas ou circuitos trifásicos em estrela são
usados em instalações elétricas predias
e industriais. A característica
principal do circuito estrela é que as cargas em cada fase acionadas pela
tensão de fase.
Há dois tipos de circuitos estrela: o
equilibrado e o desequilibrado. No equilibrado, as três cargas são iguais.
Exemplo: motores, transformadores, fornos ou aquecedores em geral de média e
alta potência (fornos de padaria, por
exemplo). Nestes sistemas, não há
corrente de neutro, ou seja, é zero,
como mostraremos abaixo.
Suponha
um alimentador trifásico com a seqüência ABC, por exemplo. Os fasores das
tensões de fase são:
VAN = VF Ð90o ; VBN = VF Ð-30o ; VCN
= VF Ð210o
Onde VF é o módulo da tensão de
fase.
Seja
ZA = ZB = ZB = (circuito
equilibrado).
O ângulo entre a tesão e a corrente é igual ao ângulo da impedância. Assim,
IA = ; IB
= ; IC =
Ou
escrevendo de outra forma:
IA
= ; IB
=
IA
=
A corrente de neutro é a soma das correntes
das correntes de linha IA , IB e IC.
Assim,
IN
= IA + IB +
IC = e-jq.( ej.90
+ e-j.30 ej.210)
ej.90
= j ;
e-j.30 = ; ej.210 =
-.
O que leva ej.90 + e-j.30 ej.210 = 0
A
demonstração acima se estende facilmente para a seqüência CBA.
Assim
sendo, a corrente de neutro num circuito estrela equilibrado é nula. No
caso de um motor, por exemplo, que é um circuito equilibrado, se for ligado em
estrela a ligação do neutro é opcional, isto é, a sua não ligação não
compromete seu funcionamento.
normal
sábado, 11 de abril de 2015
Exercícios de eletronica analogica
- Descreva com suas palavras o significado da palavra ideal aplicada a um dispositivo ou sistema.
R. O termo ideal
em relação a dispositivos ou sistemas que tem características
ideais ou perfeitas sem nenhuma variação de erro ou interferência
no funcionamento dos mesmos. Um das principais do termo ideal de
qualquer dispositivo, componente ou sistema, e que quando se comparar
funcionamento real com o ideal e possível aperfeiçoar o mesmo até
atingir níveis satisfatórios perto dos 100%.
- Queremos que um retificador em ponte tenha uma tensão de pico na carga de 40 V. Qual deve ser o valor aproximado da tensão eficaz (Vrms) no secundário.
Vrms=VP/1,41-0,
707*VP
Vrms=40/1, 41=28,3
volts
- 0 V
- 14,4 V
- 28,3 V XXX- Correta
- 56,6 V
- Se a freqüência da linha for de 60 Hz, a freqüência na saída de um retificador em ponte será de:
A freqüência de
saída no circuito de onda completa é o dobro da freqüência de
entrada.
- 30 Hz
- 60 Hz
- 120 Hz - XX correta
- 240 Hz
- Com a mesma tensão no secundário e com o mesmo filtro, qual dos seguintes retificadores fornece a menor tensão na carga?
- De meia onda- Correta
- De onda completa
- Em ponte
- Nenhuma das anteriores
- Se a capacitância de um filtro aumentar, a ondulação irá:
- Diminuir XX - Correta
- Permanecer estável
- Aumentar
- Nenhuma das anteriores.
- Descreva com suas palavras as características do diodo ideal e como elas determinam os estando ligado e desligado do dispositivo. Ou seja, descreva como o curto-circuito e o circuito aberto pode ser utilizado como analogia para o funcionamento de um diodo ideal.
As características
de um diodo ideal são de uma chave polarizada que conduz somente num
sentido, ou seja, do positivo para negativo. Logo o diodo ideal é um
curto circuito, como uma chave fechada, no sentido direto, e um
circuito aberto, como uma chave aberta, no sentido reverso.
- Para a configuração com diodo série mostrada no circuito abaixo, determine VD, VR e ID.
Sentido direto
VD=0,7 V
VR= E-VD=8-0,7=
7,3V
ID=IR=
7,3V/2,2kΩ=3,32ma
Repita o exercício
anterior para o diodo invertido.
Sentido inverso:
ID= OA
VD= 8V> Pois a
tensão da fonte fica sobre o diodo vd=E
VR= OV
IR= OA
Nesse caso o diodo
funciona como uma chave aberta e por isso não circula corrente e não
há queda de tensão.
- Pretende obter, no secundário do transformador, dois níveis de tensão (U2 e U'2). A tensão da rede é 220 V. O número total de espiras no primário e no secundário é, respectivamente, de 600 espiras e 50 espiras. Calcule:
a) O valor de U2.
U2/U1=N2/N1
U2/220=50/600
U2=220*50/600
U2=18,33 volts
b) A posição da
tomada no secundário (número de espiras) que permite se obtiver U'2
= 8 V.
U2/U1=N2/N1
8/220=N2/600
N2*220=8*600
N2=4800/220
N2=22
- Em relação ao retificador de meia onda desenhado abaixo, complete os diagramas de tensão vs. tempo, posicionados à direita do circuito em questão, respeitando-se o comportamento do mesmo.
Funcionamento
do circuito
Para
o ponto O positivo em relação ao ponto B o diodo está polarizado
diretamente e conduz e com isto, a corrente circula de A até B
passando pelo diodo e R. Para o ponto O negativo em relação ao
ponto B o diodo está polarizado inversamente e não conduz. Tem-se
corrente em R, somente, nos semiciclos positivos de entrada. Os
semiciclos positivos passam para a saída e os semiciclos negativos
ficam no diodo. A freqüência de ondulação na saída é igual à
freqüência de entrada.
O
retificador de meia onda tem baixa eficiência.
Bons
estudos.
“Embora ninguém possa
voltar atrás e fazer um novo começo, qualquer um pode começar
agora e fazer um novo fim”. Airton Senna
sexta-feira, 10 de abril de 2015
transistor bipolar 2
O
transistor de junção bipolar é um dispositivo semicondutor de três
terminais, formado por três camadas consistindo de: duas camadas de
material tipo "n" e uma de tipo "p" ou de duas de
material tipo "p" e uma de tipo "n".
O
primeiro é chamado de transistor npn enquanto que o segundo é
chamado de transistor pnp. Através de uma polarização de tensão
adequada consegue-se estabelecer um fluxo de corrente, permitindo que
o transistor seja utilizado em inúmeras aplicações como: chaves
comutadoras eletrônicas, amplificadores de tensão e de potência,
osciladores, etc.
O
termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e elétrons
participarem do processo do fluxo de corrente. Se for utilizado
apenas um portador, elétron ou lacuna, o transistor é denominado
unipolar (FET).
As
figuras abaixo ilustram a estrutura básica de um transistor,
representando um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal
forma a permitir a identificação da polarização das junções, as
quais são: base emissor e base coletor (B-E e B-C respectivamente).
Polarizando
diretamente a junção base emissor e inversamente a junção base
coletor, a corrente de colector IC passa a ser
controlada pela corrente de base IB.
- Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de colector IC e vice-versa.
- A corrente de base sendo bem menor que a corrente de colector, uma pequena variação de IB provoca uma grande variação de IC, Isto significa que a variação de corrente de colector é um reflexo amplificado da variação da corrente na base.
- O fato do transístor possibilitar a amplificação de um sinal faz com que ele seja considerado um dispositivo dativo.
Este
efeito amplificação, denominado ganho de corrente pode ser expresso
matematicamente pela relação entre a variação de corrente do
colector e a variação da corrente de base, isto é:
Uma
das aplicações mais utilizadas e comuns do transistor bipolar é a
de amplificador de pequenos sinais. Esse tipo de circuito
possibilitou o surgimento do rádio e do gravador portáteis que se
popularizaram a
partir da década 1960.
São
três as configurações básicas segundo as quais um transistor pode
ser utilizado como um amplificador, dependendo do terminal que for
ligado ao “terra” do circuito para os sinais alternados:
1. Emissor comum (EC);
2. Coletor comum (CC);
3. Base comum (BC).
Como cada uma destas configurações tem suas características técnicas, mas todas são semelhantes, onde o sinal de entrada tem uma média amplificação no dispositivo de saída, seja de áudio, video e etc.
1. Emissor comum (EC);
2. Coletor comum (CC);
3. Base comum (BC).
Como cada uma destas configurações tem suas características técnicas, mas todas são semelhantes, onde o sinal de entrada tem uma média amplificação no dispositivo de saída, seja de áudio, video e etc.
terça-feira, 7 de abril de 2015
Transistor
Uma das aplicações mais utilizadas e comuns do transistor bipolar é a de amplificador de pequenos sinais. Esse tipo de circuito possibilitou o surgimento do rádio e do gravador portáteis que se popularizaram nos anos 60 e 70.
Um transístor funciona como amplificador, quando a corrente de base oscila entre zero e um valor máximo. Neste caso, a corrente de coletor é um múltiplo da corrente de base. Se aplicarmos na base do transistor um sinal, vamos obter uma corrente mais elevada no coletor proporcional ao sinal aplicado:
Ganho de um transístor como amplificador:
O ganho de um transístor, é uma característica do transístor,é o factor de multiplicação da corrente de base (Ib)ou Beta ß ou hfe do transístor.
A formula matemática que permite efectuar o cálculo é :
Ic = Ib x ß
* Ic: corrente de coletor
* Ib: corrente de base
* ß : beta (ganho)
Um transístor funciona como amplificador, quando a corrente de base oscila entre zero e um valor máximo. Neste caso, a corrente de coletor é um múltiplo da corrente de base. Se aplicarmos na base do transistor um sinal, vamos obter uma corrente mais elevada no coletor proporcional ao sinal aplicado:
Ganho de um transístor como amplificador:
O ganho de um transístor, é uma característica do transístor,é o factor de multiplicação da corrente de base (Ib)ou Beta ß ou hfe do transístor.
A formula matemática que permite efectuar o cálculo é :
Ic = Ib x ß
* Ic: corrente de coletor
* Ib: corrente de base
* ß : beta (ganho)
domingo, 5 de abril de 2015
Automação industrial ETEC - IFTM
Iniciado em | sexta, 27 Mar 2015, 11:51 |
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Estado | Finalizada |
Concluída em | sexta, 27 Mar 2015, 12:07 |
Tempo empregado | 15 minutos 50 segundos |
Avaliar | 10,00 de um máximo de 10,00(100%) |
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